ZXMN3F31DN8TA
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ZXMN3F31DN8TA
| Hersteller | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 7A, 10V |
| Leistung - max | 1.8W |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen | 1034-ZXMN3F31DN8TR |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 26 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 608pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.9nC @ 10V |
| Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.8W Surface Mount 8-SO |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.7A |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$0.818
- 10 pcs$0.679
- 30 pcs$0.61
- 100 pcs$0.54
- 500 pcs$0.499
- 1000 pcs$0.477
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von ZXMN3F31DN8TA
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