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FQD4P25TF

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FQD4P25TF

fabbricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescrizioneMOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak
Serie QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi Q1585607A
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 250V
Descrizione dettagliata P-Channel 250V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.1A (Tc)

FQD4P25, FQU4P25

D-PAK Tape and Reel Data

RFQ

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