FQD4P25TF
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FQD4P25TF
fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Descrizione | MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore | D-Pak |
Serie | QFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Altri nomi | Q1585607A |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Tipo FET | P-Channel |
Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Tensione drain-source (Vdss) | 250V |
Descrizione dettagliata | P-Channel 250V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D-Pak |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 3.1A (Tc) |
RFQ |
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