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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FQD4P25TF

FQD4P25TF

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FQD4P25TF

FabricantAMI Semiconductor / ON Semiconductor
La descriptionMOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur D-Pak
Séries QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms Q1585607A
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 250V
Description détaillée P-Channel 250V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D-Pak
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.1A (Tc)

FQD4P25, FQU4P25

D-PAK Tape and Reel Data

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