FQD4P25TF
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FQD4P25TF
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | D-Pak |
| Serie | QFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
| embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres | Q1585607A |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 250V |
| Descripción detallada | P-Channel 250V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3.1A (Tc) |
| RFQ | |
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