FQD4P25TF
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FQD4P25TF
Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D-Pak |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andere Namen | Q1585607A |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250V |
detaillierte Beschreibung | P-Channel 250V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D-Pak |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.1A (Tc) |
RFQ |
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