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SI3499DV-T1-GE3

SI3499DV-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI3499DV-T1-GE3

FabricanteElectro-Films (EFI) / Vishay
DescriçãoMOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
VGS (th) (Max) @ Id 750mV @ 250µA
Vgs (Max) ±5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor 6-TSOP
Série TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 23 mOhm @ 7A, 4.5V
Dissipação de energia (Max) 1.1W (Ta)
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes SI3499DV-T1-GE3-ND
SI3499DV-T1-GE3TR
SI3499DVT1GE3
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 33 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 4.5V
Tipo FET P-Channel
Característica FET -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 8V
Descrição detalhada P-Channel 8V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 5.3A (Ta)

SI3499DV

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:15550
  • 1 pcs$0.505
  • 200 pcs$0.196
  • 500 pcs$0.188
  • 1000 pcs$0.185

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