SI3499DV-T1-GE3
SI3499DV-T1-GE3
Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descrição | MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
VGS (th) (Max) @ Id | 750mV @ 250µA |
Vgs (Max) | ±5V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | 6-TSOP |
Série | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 23 mOhm @ 7A, 4.5V |
Dissipação de energia (Max) | 1.1W (Ta) |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Outros nomes | SI3499DV-T1-GE3-ND SI3499DV-T1-GE3TR SI3499DVT1GE3 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante | 33 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 4.5V |
Tipo FET | P-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 1.5V, 4.5V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 8V |
Descrição detalhada | P-Channel 8V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 5.3A (Ta) |
RFQ |
Preço de referência (em dólares americanos)
- 1 pcs$0.505
- 200 pcs$0.196
- 500 pcs$0.188
- 1000 pcs$0.185
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