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SI3529DV-T1-GE3

SI3529DV-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay

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SI3529DV-T1-GE3

FabricanteElectro-Films (EFI) / Vishay
DescriçãoMOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor 6-TSOP
Série TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS 125 mOhm @ 2.2A, 10V
Power - Max 1.4W
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 205pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Tipo FET N and P-Channel
Característica FET Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40V
Descrição detalhada Mosfet Array N and P-Channel 40V 2.5A, 1.95A 1.4W Surface Mount 6-TSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 2.5A, 1.95A

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