SI3529DV-T1-GE3
SI3529DV-T1-GE3
Fabricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Descrição | MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Embalagem do dispositivo fornecedor | 6-TSOP |
Série | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 125 mOhm @ 2.2A, 10V |
Power - Max | 1.4W |
Embalagem | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 205pF @ 20V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 40V |
Descrição detalhada | Mosfet Array N and P-Channel 40V 2.5A, 1.95A 1.4W Surface Mount 6-TSOP |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 2.5A, 1.95A |
RFQ |
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