NSVBC114EDXV6T1G
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NSVBC114EDXV6T1G
| Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Descrição | TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563 |
| Categoria | Produtos semicondutores discretos |
| Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Tipo transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor | SOT-563 |
| Série | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2) | 10 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
| Power - Max | 500mW |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete | SOT-563, SOT-666 |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante | 14 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição | - |
| Descrição detalhada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Atual - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| RFQ | |
Preço de referência (em dólares americanos)
- 4000 pcs$0.129
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