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NSVBC114EDXV6T1G

NSVBC114EDXV6T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSVBC114EDXV6T1G

メーカーAMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明TRANS 2NPN BIAS BIPOLAR SOT563
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50V
IB、IC @ Vce飽和（最大） 250mV @ 300µA, 10mA
トランジスタ型式 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ SOT-563
シリーズ -
抵抗器ベース（R2） 10 kOhms
抵抗器 - ベース（R1） 10 kOhms
電力 - 最大 500mW
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 14 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション -
詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 35 @ 5mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 100mA

MUN5211DW1, NSBC114EDxx

RFQ

参考価格（USD）

在庫あり:41550
  • 4000 pcs$0.129

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