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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > NSVB1706DMW5T1G

NSVB1706DMW5T1G

NSVB1706DMW5T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSVB1706DMW5T1G

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescriçãoTRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) 50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Série -
Resistor - Base do Emissor (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Power - Max 250mW
Embalagem Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Tipo de montagem Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante 4 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição -
Descrição detalhada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atual - Collector (Ic) (Max) 100mA

NSB1706DMW5T1

RFQ

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível:153725
  • 5 pcs$0.212
  • 50 pcs$0.172
  • 150 pcs$0.155
  • 500 pcs$0.134
  • 3000 pcs$0.125
  • 6000 pcs$0.119

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