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NSVB1706DMW5T1G

NSVB1706DMW5T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSVB1706DMW5T1G

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescripciónTRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Potencia - Max 250mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición -
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA

NSB1706DMW5T1

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:153725
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