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> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-양극 (bjt)-배열, 프리 바이어스 > NSVB1706DMW5T1G

NSVB1706DMW5T1G

NSVB1706DMW5T1G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NSVB1706DMW5T1G

제조사AMI Semiconductor / ON Semiconductor
기술TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
범주이산 반도체 제품
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 50V
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대) 250mV @ 1mA, 10mA
트랜지스터 유형 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
제조업체 장치 패키지 SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
연속 -
저항기 - 이미 터베이스 (R2) 47 kOhms
저항기 -베이스 (R1) 4.7 kOhms
전력 - 최대 250mW
포장 Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
실장 형 Surface Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임 4 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
주파수 - 전환 -
상세 설명 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가 80 @ 5mA, 10V
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대) 500nA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대) 100mA

NSB1706DMW5T1

RFQ

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품:153725
  • 5 pcs$0.212
  • 50 pcs$0.172
  • 150 pcs$0.155
  • 500 pcs$0.134
  • 3000 pcs$0.125
  • 6000 pcs$0.119

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