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RN4986FE,LF(CB

RN4986FE,LF(CB
Toshiba Semiconductor and Storage

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RN4986FE,LF(CB is warrantied and traceable.

RN4986FE,LF(CB

メーカーToshiba Semiconductor and Storage
説明TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 50V
IB、IC @ Vce飽和(最大) 300mV @ 250µA, 5mA
トランジスタ型式 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ ES6
シリーズ -
抵抗器ベース(R2) 47 kOhms
抵抗器 - ベース(R1) 4.7 kOhms
電力 - 最大 100mW
パッケージング Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666
他の名前 RN4986FE(T5L,F,T)
RN4986FE(T5LFT)TR
RN4986FE(T5LFT)TR-ND
RN4986FE,LF(CT
RN4986FELF(CBTR
RN4986FELF(CTTR
RN4986FELF(CTTR-ND
装着タイプ Surface Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 16 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 250MHz, 200MHz
詳細な説明 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) 80 @ 10mA, 5V
電流 - コレクタ遮断(最大) 500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 100mA

RN4986FE

RFQ

参考価格(USD)

在庫あり:2645
  • 4000 pcs$0.057

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