RN4986FE,LF(CB
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RN4986FE,LF(CB
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| La description | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Package composant fournisseur | ES6 |
| Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
| Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
| Puissance - Max | 100mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
| Autres noms | RN4986FE(T5L,F,T) RN4986FE(T5LFT)TR RN4986FE(T5LFT)TR-ND RN4986FE,LF(CT RN4986FELF(CBTR RN4986FELF(CTTR RN4986FELF(CTTR-ND |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 16 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 250MHz, 200MHz |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 4000 pcs$0.057
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