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RN4986FE,LF(CB

RN4986FE,LF(CB
Toshiba Semiconductor and Storage

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RN4986FE,LF(CB

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
BeschreibungTRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse ES6
Serie -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms
Leistung - max 100mW
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666
Andere Namen RN4986FE(T5L,F,T)
RN4986FE(T5LFT)TR
RN4986FE(T5LFT)TR-ND
RN4986FE,LF(CT
RN4986FELF(CBTR
RN4986FELF(CTTR
RN4986FELF(CTTR-ND
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 250MHz, 200MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

RN4986FE

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:2645
  • 4000 pcs$0.057

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Einführung von RN4986FE,LF(CB

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