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APTM120A29FTG

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APTM120A29FTG

メーカーMicrosemi
説明MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 5mA
サプライヤデバイスパッケージ SP4
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 348 mOhm @ 17A, 10V
電力 - 最大 780W
パッケージング Bulk
パッケージ/ケース SP4
運転温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 32 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 10300pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 374nC @ 10V
FETタイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET特長 Standard
ソース電圧(VDSS)にドレイン 1200V (1.2kV)
詳細な説明 Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP4
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 34A

Power Products Catalog

APTM120A29FTG

RFQ

参考価格(USD)

在庫あり:140
  • 100 pcs$134.659

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