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APTM120A29FTG

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APTM120A29FTG

HerstellerMicrosemi
BeschreibungMOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Supplier Device-Gehäuse SP4
Serie -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 348 mOhm @ 17A, 10V
Leistung - max 780W
Verpackung Bulk
Verpackung / Gehäuse SP4
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 374nC @ 10V
Typ FET 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV)
detaillierte Beschreibung Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 34A

Power Products Catalog

APTM120A29FTG

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:140
  • 100 pcs$134.659

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