APTM120A29FTG
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APTM120A29FTG
| Fabricante | Microsemi |
|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 5mA |
| Paquete del dispositivo | SP4 |
| Serie | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 348 mOhm @ 17A, 10V |
| Potencia - Max | 780W |
| embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | SP4 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 32 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10300pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 374nC @ 10V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica de FET | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200V (1.2kV) |
| Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 34A 780W Chassis Mount SP4 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 34A |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 100 pcs$134.659
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