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IXGM40N60

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IXGM40N60

メーカーIXYS Corporation
説明POWER MOSFET TO-3
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 600V
VGE、Icを@ VCE(上)(最大) 2.5V @ 15V, 40A
試験条件 480V, 40A, 22 Ohm, 15V
Td(オン/オフ)@ 25℃ 100ns/600ns
エネルギーの切り替え -
サプライヤデバイスパッケージ TO-204AE
シリーズ -
逆回復時間(trrの) 200ns
電力 - 最大 250W
パッケージ/ケース TO-204AE
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
入力タイプ Standard
IGBTタイプ -
ゲートチャージ 250nC
詳細な説明 IGBT 600V 75A 250W Through Hole TO-204AE
電流 - コレクタパルス(ICM) 150A
電流 - コレクタ(Ic)(Max) 75A
RFQ

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