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IXGM40N60

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IXGM40N60

FabricanteIXYS Corporation
DescripciónPOWER MOSFET TO-3
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A
Condición de prueba 480V, 40A, 22 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C 100ns/600ns
Cambio de Energía -
Paquete del dispositivo TO-204AE
Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 200ns
Potencia - Max 250W
Paquete / Cubierta TO-204AE
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada Standard
Tipo de IGBT -
puerta de carga 250nC
Descripción detallada IGBT 600V 75A 250W Through Hole TO-204AE
Corriente - Colector Pulsada (ICM) 150A
Corriente - colector (Ic) (Max) 75A
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