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IXGM40N60

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IXGM40N60

FabricantIXYS Corporation
La descriptionPOWER MOSFET TO-3
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A
Condition de test 480V, 40A, 22 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 100ns/600ns
énergie de commutation -
Package composant fournisseur TO-204AE
Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 200ns
Puissance - Max 250W
Package / Boîte TO-204AE
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard
type de IGBT -
gate charge 250nC
Description détaillée IGBT 600V 75A 250W Through Hole TO-204AE
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 150A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 75A
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