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MURTA300120R

MURTA300120R
GeneSiC Semiconductor

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MURTA300120R

メーカーGeneSiC Semiconductor
説明DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ 2.6V @ 150A
電圧 - 逆(VR)(最大) 600V
サプライヤデバイスパッケージ Three Tower
速度 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
パッケージング Bulk
パッケージ/ケース Three Tower
動作温度 - ジャンクション -55°C ~ 150°C
装着タイプ Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 4 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
ダイオードタイプ Standard
ダイオード構成 1 Pair Common Anode
詳細な説明 Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 600V 150A Chassis Mount Three Tower
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 25µA @ 600V
電流 - 平均整流(イオ​​)(ダイオード当たり) 150A

MURTA30060 thru MURTA3001210R

RFQ

参考価格(USD)

在庫あり:195
  • 18 pcs$92.107

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