MURTA300120R
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MURTA300120R
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| Descripción | DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 2.6V @ 150A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 600V |
| Paquete del dispositivo | Three Tower |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| embalaje | Bulk |
| Paquete / Cubierta | Three Tower |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 4 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Standard |
| configuración de diodo | 1 Pair Common Anode |
| Descripción detallada | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 600V 150A Chassis Mount Three Tower |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 25µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode) | 150A |
| RFQ | |
Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)
- 18 pcs$92.107
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