MURTA300120R
MURTA300120R
Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
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Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.6V @ 150A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600V |
Supplier Device-Gehäuse | Three Tower |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Verpackung | Bulk |
Verpackung / Gehäuse | Three Tower |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit | 4 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Diodentyp | Standard |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
detaillierte Beschreibung | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 600V 150A Chassis Mount Three Tower |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 25µA @ 600V |
Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 150A |
RFQ |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 18 pcs$92.107
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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Einführung von MURTA300120R
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