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BUV21G

BUV21G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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BUV21G

メーカーAMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明TRANS NPN 200V 40A TO-3
プロダクトディスクリート半導体製品
フリーステータス/ RoHS状態鉛フリー/ RoHS準拠
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 200V
IB、IC @ Vce飽和（最大） 1.5V @ 3A, 25A
トランジスタ型式 NPN
サプライヤデバイスパッケージ TO-3
シリーズ SWITCHMODE™
電力 - 最大 250W
パッケージング Tray
パッケージ/ケース TO-204AE
他の名前 BUV21G-ND
BUV21GOS-NDOS
BUV21GOSOS
運転温度 -65°C ~ 200°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 2 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス Lead free / RoHS Compliant
周波数 - トランジション 8MHz
詳細な説明 Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 40A 8MHz 250W Through Hole TO-3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 20 @ 12A, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大） 3mA
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 40A

BUV21

RFQ

参考価格（USD）

在庫あり:1875
  • 1 pcs$12.013
  • 10 pcs$10.851
  • 100 pcs$8.984
  • 500 pcs$7.823

上記の価格には税金と貨物は含まれておらず、特定の価格は最終オファーの対象となります。

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