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BUV21G

BUV21G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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BUV21G

FabricantAMI Semiconductor / ON Semiconductor
La descriptionTRANS NPN 200V 40A TO-3
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 200V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 3A, 25A
Transistor Type NPN
Package composant fournisseur TO-3
Séries SWITCHMODE™
Puissance - Max 250W
Emballage Tray
Package / Boîte TO-204AE
Autres noms BUV21G-ND
BUV21GOS-NDOS
BUV21GOSOS
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 2 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 8MHz
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 40A 8MHz 250W Through Hole TO-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 12A, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 3mA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 40A

BUV21

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

En stock:1875
  • 1 pcs$12.013
  • 10 pcs$10.851
  • 100 pcs$8.984
  • 500 pcs$7.823

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