BUV21G
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BUV21G
| Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| Beschreibung | TRANS NPN 200V 40A TO-3 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 200V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 3A, 25A |
| Transistor-Typ | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3 |
| Serie | SWITCHMODE™ |
| Leistung - max | 250W |
| Verpackung | Tray |
| Verpackung / Gehäuse | TO-204AE |
| Andere Namen | BUV21G-ND BUV21GOS-NDOS BUV21GOSOS |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 2 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang | 8MHz |
| detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 40A 8MHz 250W Through Hole TO-3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 20 @ 12A, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 3mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 40A |
| RFQ | |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 1 pcs$12.013
- 10 pcs$10.851
- 100 pcs$8.984
- 500 pcs$7.823
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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