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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > RN2906,LF

RN2906,LF

RN2906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

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RN2906,LF

fabbricanteToshiba Semiconductor and Storage
DescrizioneTRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore US6
Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Potenza - Max 200mW
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi RN2906,LF(CB
RN2906,LF(CT
RN2906LF(CTTR
RN2906LF(CTTR-ND
RN2906LFTR
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 200MHz
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

RN2901-06

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:698017
  • 3000 pcs$0.057
  • 6000 pcs$0.05
  • 15000 pcs$0.042
  • 30000 pcs$0.04
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