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RN2906,LF

RN2906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

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RN2906,LF

FabricantToshiba Semiconductor and Storage
La descriptionTRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur US6
Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms
Résistance - Base (R1) 4.7 kOhms
Puissance - Max 200mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms RN2906,LF(CB
RN2906,LF(CT
RN2906LF(CTTR
RN2906LF(CTTR-ND
RN2906LFTR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 200MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

RN2901-06

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

En stock:698017
  • 3000 pcs$0.057
  • 6000 pcs$0.05
  • 15000 pcs$0.042
  • 30000 pcs$0.04
  • 75000 pcs$0.037
  • 150000 pcs$0.033

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