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RN2906,LF

RN2906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

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RN2906,LF

FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
DescripciónTRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo US6
Serie -
Resistor - Base del emisor (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Potencia - Max 200mW
embalaje Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres RN2906,LF(CB
RN2906,LF(CT
RN2906LF(CTTR
RN2906LF(CTTR-ND
RN2906LFTR
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 200MHz
Descripción detallada Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max) 500nA
Corriente - colector (Ic) (Max) 100mA

RN2901-06

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:698017
  • 3000 pcs$0.057
  • 6000 pcs$0.05
  • 15000 pcs$0.042
  • 30000 pcs$0.04
  • 75000 pcs$0.037
  • 150000 pcs$0.033

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