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APT15GP60BDQ1G

APT15GP60BDQ1G
Microsemi

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APT15GP60BDQ1G

fabbricanteMicrosemi
DescrizioneIGBT 600V 56A 250W TO247
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.7V @ 15V, 15A
Condizione di test 400V, 15A, 5 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C 8ns/29ns
di scambio energetico 130µJ (on), 120µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore TO-247 [B]
Serie POWER MOS 7®
Potenza - Max 250W
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-247-3
Altri nomi APT15GP60BDQ1GMP
APT15GP60BDQ1GMP-ND
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso Standard
Tipo IGBT PT
carica gate 55nC
Descrizione dettagliata IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B]
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 65A
Corrente - collettore (Ic) (max) 56A

APT15GP60BDQ1

RFQ

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino:4184
  • 120 pcs$6.233

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