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APT15GP60BDQ1G

APT15GP60BDQ1G
Microsemi

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APT15GP60BDQ1G

FabricantMicrosemi
La descriptionIGBT 600V 56A 250W TO247
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 15A
Condition de test 400V, 15A, 5 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 8ns/29ns
énergie de commutation 130µJ (on), 120µJ (off)
Package composant fournisseur TO-247 [B]
Séries POWER MOS 7®
Puissance - Max 250W
Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3
Autres noms APT15GP60BDQ1GMP
APT15GP60BDQ1GMP-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard
type de IGBT PT
gate charge 55nC
Description détaillée IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B]
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 65A
Courant - Collecteur (Ic) (max) 56A

APT15GP60BDQ1

RFQ

Prix de référence (en dollars américains)

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  • 120 pcs$6.233

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