APT15GP60BDQ1G
APT15GP60BDQ1G
Hersteller | Microsemi |
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Beschreibung | IGBT 600V 56A 250W TO247 |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 15A |
Testbedingung | 400V, 15A, 5 Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 8ns/29ns |
Schaltenergie | 130µJ (on), 120µJ (off) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-247 [B] |
Serie | POWER MOS 7® |
Leistung - max | 250W |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Andere Namen | APT15GP60BDQ1GMP APT15GP60BDQ1GMP-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | PT |
Gate-Ladung | 55nC |
detaillierte Beschreibung | IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B] |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 65A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 56A |
RFQ |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 120 pcs$6.233
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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