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APT15GP60BDQ1G

APT15GP60BDQ1G
Microsemi

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APT15GP60BDQ1G

HerstellerMicrosemi
BeschreibungIGBT 600V 56A 250W TO247
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 15A
Testbedingung 400V, 15A, 5 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C 8ns/29ns
Schaltenergie 130µJ (on), 120µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B]
Serie POWER MOS 7®
Leistung - max 250W
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-247-3
Andere Namen APT15GP60BDQ1GMP
APT15GP60BDQ1GMP-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Standard
IGBT-Typ PT
Gate-Ladung 55nC
detaillierte Beschreibung IGBT PT 600V 56A 250W Through Hole TO-247 [B]
Strom - Collector Pulsed (Icm) 65A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 56A

APT15GP60BDQ1

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:4184
  • 120 pcs$6.233

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Einführung von APT15GP60BDQ1G

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