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HGT1S7N60C3DS9A

HGT1S7N60C3DS9A
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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HGT1S7N60C3DS9A

fabbricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescrizioneIGBT 600V 14A 60W TO263AB
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2V @ 15V, 7A
Condizione di test 480V, 7A, 50 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C -
di scambio energetico 165µJ (on), 600µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore TO-263AB
Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 37ns
Potenza - Max 60W
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio -
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso Standard
Tipo IGBT -
carica gate 23nC
Descrizione dettagliata IGBT 600V 14A 60W Surface Mount TO-263AB
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 56A
Corrente - collettore (Ic) (max) 14A

HGTP7N60C3D, HGT1S7N60C3D/S

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