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HGT1S7N60C3DS9A

HGT1S7N60C3DS9A
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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HGT1S7N60C3DS9A

HerstellerAMI Semiconductor / ON Semiconductor
BeschreibungIGBT 600V 14A 60W TO263AB
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 600V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A
Testbedingung 480V, 7A, 50 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C -
Schaltenergie 165µJ (on), 600µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse TO-263AB
Serie -
Rückwärts-Erholzeit (Trr) 37ns
Leistung - max 60W
Verpackung Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp Standard
IGBT-Typ -
Gate-Ladung 23nC
detaillierte Beschreibung IGBT 600V 14A 60W Surface Mount TO-263AB
Strom - Collector Pulsed (Icm) 56A
Strom - Kollektor (Ic) (max) 14A

HGTP7N60C3D, HGT1S7N60C3D/S

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Einführung von HGT1S7N60C3DS9A

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