HGT1S7N60C3DS9A
HGT1S7N60C3DS9A
Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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La description | IGBT 600V 14A 60W TO263AB |
Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 600V |
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 7A |
Condition de test | 480V, 7A, 50 Ohm, 15V |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | - |
énergie de commutation | 165µJ (on), 600µJ (off) |
Package composant fournisseur | TO-263AB |
Séries | - |
Temps de recouvrement inverse (trr) | 37ns |
Puissance - Max | 60W |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Type d'entrée | Standard |
type de IGBT | - |
gate charge | 23nC |
Description détaillée | IGBT 600V 14A 60W Surface Mount TO-263AB |
Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 56A |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 14A |
RFQ |
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