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STF10N60M2

STF10N60M2
STMicroelectronics

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STF10N60M2

FabricantSTMicroelectronics
La descriptionMOSFET N-CH 600V TO-220FP
CatégorieProduits semi-conducteurs discrets
État sans plomb / État RoHSSans plomb / conforme à la directive RoHS
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220FP
Séries MDmesh™ II Plus
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack
Autres noms 497-13945-5
STF10N60M2-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V
Description détaillée N-Channel 600V 7.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A (Tc)

STF10N60M2

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Prix de référence (en dollars américains)

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  • 10 pcs$0.82
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