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STF10N60M2

STF10N60M2
STMicroelectronics

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STF10N60M2

HerstellerSTMicroelectronics
BeschreibungMOSFET N-CH 600V TO-220FP
KategorieDiskrete Halbleiter-Produkte
Bleifreier Status / RoHS StatusBleifrei / RoHS-konform
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP
Serie MDmesh™ II Plus
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max) 25W (Tc)
Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack
Andere Namen 497-13945-5
STF10N60M2-ND
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit 42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.5nC @ 10V
Typ FET N-Channel
FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 7.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.5A (Tc)

STF10N60M2

RFQ

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig:49749
  • 1 pcs$0.972
  • 10 pcs$0.82
  • 50 pcs$0.744
  • 100 pcs$0.668
  • 500 pcs$0.624
  • 1000 pcs$0.60

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