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STF10N60M2

STF10N60M2
STMicroelectronics

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STF10N60M2

FabricanteSTMicroelectronics
DescripciónMOSFET N-CH 600V TO-220FP
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-220FP
Serie MDmesh™ II Plus
RDS (Max) @Id, Vgs 600 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo) 25W (Tc)
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack
Otros nombres 497-13945-5
STF10N60M2-ND
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante 42 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 13.5nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600V
Descripción detallada N-Channel 600V 7.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 7.5A (Tc)

STF10N60M2

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:49749
  • 1 pcs$0.972
  • 10 pcs$0.82
  • 50 pcs$0.744
  • 100 pcs$0.668
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