APT75GN60B2DQ3G
APT75GN60B2DQ3G
Fabricant | Microsemi |
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La description | IGBT 600V 155A 536W TO264 |
Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 600V |
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 75A |
Condition de test | 400V, 75A, 1 Ohm, 15V |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 47ns/385ns |
énergie de commutation | 2500µJ (on), 2140µJ (off) |
Package composant fournisseur | - |
Séries | - |
Puissance - Max | 536W |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-264-3, TO-264AA |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Type d'entrée | Standard |
type de IGBT | - |
gate charge | 485nC |
Description détaillée | IGBT 600V 155A 536W Through Hole |
Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 225A |
Courant - Collecteur (Ic) (max) | 155A |
RFQ |
Citation requise
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