APT75GN60B2DQ3G
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APT75GN60B2DQ3G
| Fabricante | Microsemi |
|---|---|
| Descripción | IGBT 600V 155A 536W TO264 |
| Categoría | Productos semiconductores discretos |
| Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Tensión - Colector-emisor (máx) | 600V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 75A |
| Condición de prueba | 400V, 75A, 1 Ohm, 15V |
| Td (encendido / apagado) @ 25 ° C | 47ns/385ns |
| Cambio de Energía | 2500µJ (on), 2140µJ (off) |
| Paquete del dispositivo | - |
| Serie | - |
| Potencia - Max | 536W |
| embalaje | Tube |
| Paquete / Cubierta | TO-264-3, TO-264AA |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada | Standard |
| Tipo de IGBT | - |
| puerta de carga | 485nC |
| Descripción detallada | IGBT 600V 155A 536W Through Hole |
| Corriente - Colector Pulsada (ICM) | 225A |
| Corriente - colector (Ic) (Max) | 155A |
| RFQ | |
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Introducción de APT75GN60B2DQ3G
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