APT75GN60B2DQ3G
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APT75GN60B2DQ3G
| Hersteller | Microsemi |
|---|---|
| Beschreibung | IGBT 600V 155A 536W TO264 |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 75A |
| Testbedingung | 400V, 75A, 1 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 47ns/385ns |
| Schaltenergie | 2500µJ (on), 2140µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | - |
| Serie | - |
| Leistung - max | 536W |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-264-3, TO-264AA |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | - |
| Gate-Ladung | 485nC |
| detaillierte Beschreibung | IGBT 600V 155A 536W Through Hole |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 225A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 155A |
| RFQ | |
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BildArtikelnummerHerstellerBeschreibungAussicht -
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Einführung von APT75GN60B2DQ3G
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