FGA90N33ATDTU
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FGA90N33ATDTU
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|
| La description | IGBT 330V 90A 223W TO3P |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 330V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 1.4V @ 15V, 20A |
| Condition de test | - |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | - |
| énergie de commutation | - |
| Package composant fournisseur | TO-3P |
| Séries | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 23ns |
| Puissance - Max | 223W |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée | Standard |
| type de IGBT | Trench |
| gate charge | 95nC |
| Description détaillée | IGBT Trench 330V 90A 223W Through Hole TO-3P |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 330A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 90A |
| RFQ | |
Prix de référence (en dollars américains)
- 10 pcs$2.034
- 100 pcs$1.942
- 500 pcs$1.849
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