FGA90N33ATDTU
FGA90N33ATDTU
Hersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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Beschreibung | IGBT 330V 90A 223W TO3P |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 330V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.4V @ 15V, 20A |
Testbedingung | - |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | - |
Schaltenergie | - |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3P |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 23ns |
Leistung - max | 223W |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | Trench |
Gate-Ladung | 95nC |
detaillierte Beschreibung | IGBT Trench 330V 90A 223W Through Hole TO-3P |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 330A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 90A |
RFQ |
Referenzpreis (in US-Dollar)
- 10 pcs$2.034
- 100 pcs$1.942
- 500 pcs$1.849
Die oben genannten Preise sind ausschließlich Steuern und Versandkosten. Der genaue Preis unterliegt dem endgültigen Angebot
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