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FGA90N33ATDTU

FGA90N33ATDTU
AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FGA90N33ATDTU

FabricanteAMI Semiconductor / ON Semiconductor
DescripciónIGBT 330V 90A 223W TO3P
CategoríaProductos semiconductores discretos
Estado Libre de plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Tensión - Colector-emisor (máx) 330V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 20A
Condición de prueba -
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C -
Cambio de Energía -
Paquete del dispositivo TO-3P
Serie -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 23ns
Potencia - Max 223W
embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada Standard
Tipo de IGBT Trench
puerta de carga 95nC
Descripción detallada IGBT Trench 330V 90A 223W Through Hole TO-3P
Corriente - Colector Pulsada (ICM) 330A
Corriente - colector (Ic) (Max) 90A

FGA90N33ATD

RFQ

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles:494
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