STFI11N65M2
STFI11N65M2
Fabricante | STMicroelectronics |
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Descrição | MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP |
Categoria | Produtos semicondutores discretos |
Status sem chumbo / Status RoHS | Sem chumbo / acordo com RoHS |
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor | I2PAKFP (TO-281) |
Série | MDmesh™ II Plus |
RDS ON (Max) @ Id, VGS | 670 mOhm @ 3.5A, 10V |
Dissipação de energia (Max) | 25W (Tc) |
Embalagem | Tube |
Caixa / Gabinete | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Outros nomes | 497-15038-5 |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 100V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel |
Característica FET | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss) | 650V |
Descrição detalhada | N-Channel 650V 7A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281) |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
RFQ |
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