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STFI11N65M2

STFI11N65M2
STMicroelectronics

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STFI11N65M2

fabbricanteSTMicroelectronics
DescrizioneMOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP
CategoriaProdotti a semiconduttore discreti
Stato Lead senza piombo / RoHSSenza piombo / RoHS conforme
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±25V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore I2PAKFP (TO-281)
Serie MDmesh™ II Plus
Rds On (max) a Id, Vgs 670 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc)
imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Altri nomi 497-15038-5
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.5nC @ 10V
Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 650V
Descrizione dettagliata N-Channel 650V 7A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)

STF(I)11N65M2

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