STFI11N65M2
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STFI11N65M2
| Fabricant | STMicroelectronics |
|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | I2PAKFP (TO-281) |
| Séries | MDmesh™ II Plus |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 25W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| Autres noms | 497-15038-5 |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650V |
| Description détaillée | N-Channel 650V 7A (Tc) 25W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 7A (Tc) |
| RFQ | |
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