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APTM100DDA35T3G

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APTM100DDA35T3G

FabricanteMicrosemi
DescriçãoMOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
CategoriaProdutos semicondutores discretos
Status sem chumbo / Status RoHSSem chumbo / acordo com RoHS
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Embalagem do dispositivo fornecedor SP3
Série -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 420 mOhm @ 11A, 10V
Power - Max 390W
Embalagem Bulk
Caixa / Gabinete SP3
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 1000V (1kV)
Descrição detalhada Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 22A

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