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APTM100DDA35T3G

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APTM100DDA35T3G

제조사Microsemi
기술MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
범주이산 반도체 제품
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
아이디 @ VGS (일) (최대) 5V @ 2.5mA
제조업체 장치 패키지 SP3
연속 -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 420 mOhm @ 11A, 10V
전력 - 최대 390W
포장 Bulk
패키지 / 케이스 SP3
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Chassis Mount
수분 민감도 (MSL) 1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부 Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5200pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 186nC @ 10V
FET 유형 2 N-Channel (Dual)
FET 특징 Standard
소스 전압에 드레인 (Vdss) 1000V (1kV)
상세 설명 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 22A

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